荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性分析

• 作者: 姜竹楠 程晓东
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 等效电路 模型 荷控忆阻器 电路特性
• 年，卷（期）: 2020,（17）
• 所属期刊栏目: 理论与算法
• 页码范围: 58-60
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

荷孔忆阻器是一种具有记忆功能的二端式电路元件,按照Φ-q关系式与泰勒级数模式所构建的荷控忆阻器等效电路分析模型,对三次非线性荷控忆阻器模型进行深入探究分析,面向基于不同参数条件的荷控忆阻器特性开展研究,即是否有源性以及伏安关系等等.经过分析可以得出,忆阻器伏安关系拥有斜体8字形紧磁滞的回线特点,随着参数符号改变,荷控忆阻器同样会于有源性与无源性间实时转换,使得电路特性也随之变化.相比无源性荷控忆阻器,有源性荷控忆阻器更加适用于二次谐波信号.