基于GMM逆效应压力传感器的结构设计与研究

• 作者: 喻曹丰 崔路飞 熊美俊 王传礼
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 超磁致伸缩逆效应 闭合磁路 偏置磁场 超磁致伸缩压力传感器 有限元仿真 灵敏度
• 年，卷（期）: 2020,（23）
• 所属期刊栏目: 电子技术及应用
• 页码范围: 164-166,172
• 页数: 4页
• 分类号: TN602-34|TN03
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2020.23.037

摘要

从传统压力传感器结构和超磁致伸缩材料逆效应原理入手,通过对闭合磁路和偏置磁场的研究,设计出一种新型的超磁致伸缩压力传感器,通过结构内部的霍尔传感器测量磁通量实现静态力的测量.利用Comsol软件进行有限元仿真,重点研究闭合磁路对磁通量的影响以及偏置磁场对传感器输出特性的影响规律.仿真结果表明:当采用闭合磁路装置时,能够对磁通进行引导,几乎没有漏磁通现象;存在一个最佳偏置电流(偏置磁场)使得传感器的灵敏度最高,求得灵敏度为0.44 mV/N.这为后面超磁致伸缩逆效应压力传感器的深入研究提供了一种技术途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王传礼		109	781	14.0	23.0
2	喻曹丰		24	64	6.0	7.0
3	崔路飞		3	0	0.0	0.0
4	熊美俊		3	0	0.0	0.0