13～15.5 GHz GaN20 W高效率功率放大器芯片

• 作者: 余旭明 金辉 陶洪琪
• 来源期刊: 通信电源技术
• 关键词: GaN Ku波段 功率放大器 高效率
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 研制开发
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 字数: 884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19399/j.cnki.tpt.2020.09.012

摘要

设计了一款采用0.20μm GaN HEMT工艺研制的13～15.5 GHz功率放大器芯片.基于loadpull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗.此外,设计了一种宽带低损耗输出匹配电路,提高了功放芯片的功率及附加效率,并将输出匹配电路中的单电容改为双电容串联的形式,降低了电容极板的电场强度,提高了芯片的可靠性.该芯片在13～15.5 GHz频率范围内,漏压28 V(100μs脉宽,10％占空比)条件下,线性增益大于30 dB,功率增益大于24 dB,典型饱和输出功率为20 W,附加效率>42％,最高效率达到47％;漏压连续波条件下,典型饱和输出功率达到16 W,附加效率>31％,最高效率达到35％;芯片面积为3 mm×3 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金辉	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	1	0	0.0	0.0
2	陶洪琪	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	7	29	3.0	5.0
3	余旭明	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	5	30	3.0	5.0