基于90 nm GaAs PHEMT工艺的二次倍频器芯片的设计

• 作者: 任璇
• 来源期刊: 现代信息科技
• 关键词: GaAs PHEMT 倍频器 芯片 谐波抑制
• 年，卷（期）: 2020,（23）
• 所属期刊栏目: 电子工程|Electronic Engineering
• 页码范围: 25-27,30
• 页数: 4页
• 分类号: TN771
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.23.007

摘要

基于90 nm GaAs PHEMT工艺设计了一款二次倍频器芯片,通过探针台对芯片性能进行了评估.倍频器芯片输入频率为9～15 GHz,输出频率为18～30 GHz.芯片电路中包含了输入、输出两级驱动放大器、一个二次倍频器和一个带通滤波器,可以实现将典型输入功率为3 dBm的9～15 GHz的输入信号倍频输出为功率大于15 dBm的18～30 GHz的二倍频输出信号,并且输出的二倍频信号对基波信号的抑制度可以达到30 dBc以上.倍频器芯片的尺寸为1.9 mm×1.2 mm.