Si掺杂化学共沉淀法制备氧化锌压敏电阻

• 作者: 刘成 王月茜 马雪丽
• 来源期刊: 电子技术与软件工程
• 学科: 教育
• 关键词: 化学共沉淀法 氧化锌压敏电阻 梯度 8/20 波形
• 年，卷（期）: 2020,（19）
• 页码范围: 230-231
• 页数: 2页
• 分类号: G63

摘要

本文在ZnO压敏电阻器的配方中掺入Si元素替换Cr元素,工艺上采用化学共沉淀法制备纳米粉体材料,通过化学共沉淀法制备制备了高纯、超细、均匀的优质复合粉体。掺杂Si后烧结过程中阻碍了晶粒长大,提高了压敏电阻梯度,该方法把梯度由原来的(200-220)V/mm由提高到(350-380)V/mm。添加剂的总质量减少40%以下,烧结温度降低了50℃。有效提高了性能,降低了生产成本。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王月茜		2	1	1.0	1.0
2	马雪丽		1	0	0.0	0.0
3	刘成		1	0	0.0	0.0