一次导体结构对SF6倒立式电流互感器损耗发热的影响

• 作者: 冒爱丽 涂敏杰
• 来源期刊: 中国设备工程
• 学科: 工学
• 关键词: 电流互感器 温升 电磁场 仿真
• 年，卷（期）: 2020,（14）
• 所属期刊栏目: 工艺流程与应用
• 页码范围: 62-63
• 页数: 2页
• 分类号: TM45
• 字数: 1516字
• 语种: 中文

摘要

为了设计SF6倒立式电流互感器(LVQB),必须精确地确定一次导体的载流容量满足最高温升的要求.温升是由于载流导体中的焦耳损耗和壳体中的感应涡流引起的.以LVQB-500产品为例,建立其损耗发热的电磁场-流场-温度场求解模型.计算结果表明,一次导体结构对产品温升影响显著,尤其是接触电阻.最后进行了温升试验,仿真与试验的最大误差为3.61 K,验证了仿真方法的正确性,可以为LVQB散热结构设计及过热分析提供指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂敏杰		1	0	0.0	0.0