CMOS集成电路抗辐射加固工艺技术研究

• 作者: 何瑛
• 来源期刊: 大科技
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 抗辐射 加固工艺技术
• 年，卷（期）: 2020,（36）
• 所属期刊栏目: 工艺与设备
• 页码范围: 196-197
• 页数: 2页
• 分类号: TN405
• 字数: 2872字
• 语种: 中文

摘要

对现阶段的集成电路芯片制造进行分析,会发现占据主导地位的工艺技术是体硅CMOS半导体工艺技术,分析此种技术的利用要点,明确其技术应用中需要重点关注的内容有突出的现实价值.就现阶段掌握的资料来看,CMOS集成电路在具体利用的过程中会因为辐射出现各种问题,这些问题会导致设备运行或者是状态的异常,因此需要对相关问题进行解决.总的来讲,为了有效解决辐射所引发的问题,在进行CMOS集成电路制作的过程中对其进行加固有突出的现实价值,因此本文分析CMOS集成电路抗辐射加固技术,旨在为现实工作开展提供指导和帮助.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何瑛		1	0	0.0	0.0