试分析MBE生长碲镉汞材料的研究进展

• 作者: 张贺良
• 来源期刊: 写真地理
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 MBE生长碲镉汞 应用 现状
• 年，卷（期）: xzdl_2020,（12）
• 页码范围: 0227-0227
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.2

摘要

MBE是分子束外延是一种新的晶体生长技术的简称，高性能大面阵中波及短波红外探测器在领域内也随着技术的发展而得到更多的应用。碲镉汞材料的质量及参数控制是当前研究的焦点所在。笔者将以本文对MBE生长碲镉汞材料的研究现状分析讨论，具体报道如下。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张贺良	中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司	3	0	0.0	0.0