半导体材料在光催化低浓度氮氧化物的研究进展

• 作者: 张顾平 王贝贝 周舟 陈冬赟 路建美
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 半导体材料 光催化 低浓度 氮氧化物
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 综述与专论
• 页码范围: 259-275
• 页数: 16页
• 分类号: TQ09
• 语种: 中文
• DOI: 10.11949/0438-1157.20201018

摘要

氮氧化物（NOx）是一类有害的空气污染物，会引发酸雨、雾霾、光化学烟雾等严重的环境问题。目前，如何有效地去除空气中低浓度的NOx（十亿分之一）是研究的热点和难点。半导体光催化氧化法可以将空气中低浓度NOx氧化成无毒的硝酸盐，是一种经济有效的净化技术之一。本文主要围绕二氧化钛（TiO2），氮化碳（g-C3N4）和Bi系三类半导体光催化材料，对近年来包括本课题组在内的国内外对光催化去除低浓度NOx研究进行了简要概述。其中，通过代表性的工作介绍了贵金属沉积、元素掺杂、构建异质结和表面空位缺陷工程等改性策略，以提高半导体材料在去除低浓度NOx的光催化活性和性能。此外，对半导体材料在光净化低浓度NOx的未来发展进行了展望，以期待为高性能半导体光催化剂的理性设计和制备以及催化机理的探索等方面的研究提供思路。