超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续)

• 作者: 赵正平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 81-103
• 页数: 23页
• 分类号: TN301|O471
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.02.001

摘要

3功率晶体管与逻辑电路 金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展.在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展.金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效应晶体管(MESFET)、MOSFET和JFET等,其沟道有两种:金刚石氢终端表面二维空穴气和p型掺杂层.随着n型掺杂材料的进步,开始出现双极型金刚石器件,近期还研发出异质结双极晶体管.在微波电子学领域以氢终端FET为主,并且向高fT/fmax和高功率密度方向发展.