GaN HEMT电力电子器件技术研究进展

• 作者: 鲍婕 周德金 陈珍海 宁仁霞 吴伟东 黄伟
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT p-GaN 增强型 MIS-HEMT
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: "GaN电子器件与先进集成"专题
• 页码范围: 14-23
• 页数: 10页
• 分类号: TN323+.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0211

摘要

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景.GaN HEMT器件的特性优势与其工艺结构、材料特性密切相关.介绍了耗尽型、增强型GaN HEMT的典型器件结构,并将国内外对结构设计以及材料优化等关键技术问题的研究现状进行了综述,并概括总结了GaN HEMT的技术发展趋势和最新参数指标.