基于等效电导率的压接型IGBT器件温度场仿真

• 作者: 何智鹏 李岩 侯婷 姬煜轲
• 来源期刊: 南方电网技术
• 学科: 工学
• 关键词: MMC 压接型IGBT 等效电导率 有限元仿真 温度分布
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 直流输电技术
• 页码范围: 19-24
• 页数: 6页
• 分类号: TM717|TM621
• 语种: 中文
• DOI: 10.13648/j.cnki.issn1674-0629.2021.01.003

摘要

压接型封装全控器件由于其具有无焊点、无引线、双面散热的特点,逐渐在大容量换流器中得到了广泛的应用,其可靠性以及寿命预测也引起了学术界和工业界的关注.本文提出了一种基于等效电导率的压接型绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件温度场有限元仿真方法,直接反映了压接型IGBT器件内部芯片发热功率随温度变化的特性,进一步提高了温度场仿真的准确性,为模块可靠性分析和寿命预测建立了仿真计算基础.此外,对某型号压接型IGBT器件进行MMC工况下的温度场仿真,得到了该工况下模块内部温度分布情况.