六方氮化硼在二维晶体微电子器件中的应用与进展

• 作者: 高渤翔 方茹 吴天如
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 关键词: 二维(2D)材料 六方氮化硼(h-BN) 微电子器件 介电衬底 隧穿器件 存储阵列 封装材料
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与结构|Materials and Structures
• 页码范围: 107-113,157
• 页数: 8页
• 分类号: O612.3|TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2021.02.003

摘要

六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注.着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外通过化学气相沉积(CVD)方法实现h-BN的高质量、大规模可控制备及图形化的代表性工作.围绕h-BN的高介电常数、原子级平滑表面、高导热性和高稳定性,重点介绍了h-BN在二维晶体介电衬底、半导体器件热管理平台以及集成电路封装材料中应用的研究进展,并简述了将h-BN应用于隧穿器件和存储阵列的研究成果.最后,对h-BN在新型微电子器件大规模应用的已有成果进行总结,并展望了该领域未来的研究与发展方向.