电子在硅掺杂石墨烯结构中的输运特性

• 作者: 令狐荣锋 刁心峰 唐延林 熊德永 马慧
• 来源期刊: 南宁师范大学学报（自然科学版）
• 关键词: 石墨烯 硅掺杂 传输特性
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.16601/j.cnki.issn1001-8743.2018.03.009

摘要

该文利用密度泛函理论计算了石墨烯6×3×1单层分子中的电子传输特性.计算结果表明,Si掺杂位置不同,石墨烯的能带结构发生改变.然后沿锯齿型方向加电极电压0.5V,再分别沿锯齿型方向和扶手椅型方向进行掺杂,利用Dmol3模块分析得到其传输特性曲线.计算结果表明,在掺杂原子均匀分布时,在其两端加正向电压和反向电压的情况下,电子传输相对较为稳定.当沿锯齿型方向和扶手椅型方向间隔掺杂时,电子反向传输浮动较大.并且发现在扶手椅型方向上掺入Si原子增多,则电子传输曲线峰值降低,符合欧姆定律的特性.