微通道板打拿极导电层ALD制备技术研究进展

• 作者: 姜柱松 王国政
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 微通道板 打拿极 原子层沉积 导电层
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 页码范围: 25-35
• 页数: 11页
• 分类号: TB3

摘要

微通道板是具有高长径比结构的二维通道电子倍增器,在微光夜视领域有广泛应用。传统铅硅酸盐玻璃微通道板受到制备工艺和基体材料选择的限制,不能满足小孔径、高分辨率、低噪声等要求。先进技术微通道板打拿极导电层电阻率不易控制且难以做到基体绝缘。原子层沉积技术具有自限性、厚度可精确控制和沉积温度低等优势,为打拿极的制备提供了新的思路。本文介绍了原子层沉积技术原理,导电层结构设计,介绍了ZnO/Al2O3、W/Al2O3、Mo/Al2O3以及Nb2O5/Ta2O5作为导电材料的研究进展。最后分析了原子层沉积微通道板导电层存在的问题以及发展方向。