第三代半导体之GaN

• 作者: 网易号
• 来源期刊: 超硬材料工程
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 页码范围: 15
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1433.2021.03.005

摘要

从目前第三代半导体材料及器件的研究来看,较为成熟的第三代半导体材料是 SiC和 GaN,而 ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段. 换言之,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是目前最为成熟的,商业化程度最高的第三代半导体材料,资本市场就是如此,有的时候很浪漫,比如酒的故事可以说上200 年,有的时候的确很现实,没有盈利模式就一无是处,薄膜光伏电池、第三代半导体都是如此.