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摘要:
基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器.针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题,采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络,将二次谐波短接到地,有效地提高了功率附加效率;通过分析匹配网络级数对宽带匹配的影响,输出匹配电路采用电容微带线组成的两级电抗网络实现低Q值匹配,拓展了电路的宽带特性.测试结果表明,该放大器在9~15 GHz工作频率内,连续波饱和输出功率大于28 dBm,功率附加效率为35%~45%,功率回退至19 dBm下时,IMD3小于-34 dBc,该MMIC尺寸为2.34 mm*1.25 mm.
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内容分析
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文献信息
篇名 9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器
来源期刊 电子设计工程 学科 工学
关键词 GaAs PHEMT工艺 高效率功率放大器 谐波抑制 宽带匹配
年,卷(期) 2021,(1) 所属期刊栏目 计算机技术与应用
研究方向 页码范围 24-29
页数 6页 分类号 TN43|TN722.75
字数 语种 中文
DOI 10.14022/j.issn1674-6236.2021.01.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 胡俊 中国科学院微电子研究所 35 654 15.0 25.0
2 陈晓娟 中国科学院微电子研究所 26 185 9.0 12.0
3 袁婷婷 中国科学院微电子研究所 3 26 2.0 3.0
4 徐鼎 中国科学院微电子研究所 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
GaAs PHEMT工艺
高效率功率放大器
谐波抑制
宽带匹配
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子设计工程
半月刊
1674-6236
61-1477/TN
大16开
西安市高新区高新路25号瑞欣大厦10A室
52-142
1994
chi
出版文献量(篇)
14564
总下载数(次)
54
总被引数(次)
54366
论文1v1指导