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9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器
9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器
作者:
徐鼎
胡俊
袁婷婷
陈晓娟
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
GaAs PHEMT工艺
高效率功率放大器
谐波抑制
宽带匹配
摘要:
基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器.针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题,采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络,将二次谐波短接到地,有效地提高了功率附加效率;通过分析匹配网络级数对宽带匹配的影响,输出匹配电路采用电容微带线组成的两级电抗网络实现低Q值匹配,拓展了电路的宽带特性.测试结果表明,该放大器在9~15 GHz工作频率内,连续波饱和输出功率大于28 dBm,功率附加效率为35%~45%,功率回退至19 dBm下时,IMD3小于-34 dBc,该MMIC尺寸为2.34 mm*1.25 mm.
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基于GaN HEMT宽带高效率功率放大器的设计
宽带
功率放大器
高效率
GaNHEMT晶体管
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
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关键词云
关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器
来源期刊
电子设计工程
学科
工学
关键词
GaAs PHEMT工艺
高效率功率放大器
谐波抑制
宽带匹配
年,卷(期)
2021,(1)
所属期刊栏目
计算机技术与应用
研究方向
页码范围
24-29
页数
6页
分类号
TN43|TN722.75
字数
语种
中文
DOI
10.14022/j.issn1674-6236.2021.01.006
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
胡俊
中国科学院微电子研究所
35
654
15.0
25.0
2
陈晓娟
中国科学院微电子研究所
26
185
9.0
12.0
3
袁婷婷
中国科学院微电子研究所
3
26
2.0
3.0
4
徐鼎
中国科学院微电子研究所
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2021(0)
参考文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
GaAs PHEMT工艺
高效率功率放大器
谐波抑制
宽带匹配
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子设计工程
主办单位:
西安三才科技实业有限公司
出版周期:
半月刊
ISSN:
1674-6236
CN:
61-1477/TN
开本:
大16开
出版地:
西安市高新区高新路25号瑞欣大厦10A室
邮发代号:
52-142
创刊时间:
1994
语种:
chi
出版文献量(篇)
14564
总下载数(次)
54
总被引数(次)
54366
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