基于ANSYS层状磁电耦合器件谐响应分析

• 作者: 余小英 房慧
• 来源期刊: 南宁师范大学学报（自然科学版）
• 关键词: ANSYS 磁电耦合 L-T unimorph
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 60-65
• 页数: 6页
• 分类号: TM27
• 语种: 中文
• DOI: 10.16601/j.cnki.issn1001-8743.2017.02.011

摘要

利用有限元软件ANSYS12.0对unimorph和L-T两种常见的2-2型结构磁电复合材料进行了模拟仿真,并制作了相应器件验证.实验结果表明,谐振频率的仿真结果与实际测试数据误差在6%以内,L-T与unimorph最大磁电耦合系数比值的仿真结果与理论计算和测试结果误差为分别为5.5%和11.27%.