电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响

• 作者: 孟锡俊 王晓东 闫建昌 曾一平 李晋闽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外(UV)LED 电子泄漏 电子阻挡层(EBL) 反向漏电 老化
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 139-143,157
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.8|TN304.26
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.02.008

摘要

着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题.结果表明,高Al组分的AlGaN EBL凭借其足够高的势垒高度,可以有效降低电子泄漏水平,从而改善UV LED芯片在老化后的反向漏电问题.选取365～415 nm波段、量子阱禁带宽度为3.0～3.4 eV的外延片为研究对象,研究了EBL工艺对老化后芯片漏电性能的影响,得到AlGaN EBL的最佳Al组分为30％～40％,对应禁带宽度为4.0～4.3 eV.使用该方法制作的UV LED芯片在经过长时间老化后,其漏电流可以保持在1 nA以下,综合性能大幅提升.