IGBT芯片参数对瞬态均流特性的影响

• 作者: 闫音蓓 赵志斌 杨艺烜 彭程
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 瞬态均流 芯片参数 均流指标 电路模型
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 144-151
• 页数: 8页
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.02.009

摘要

IGBT模块一般采用多芯片并联的方式进行封装,但由于模块参数、驱动控制等差异,模块内部存在电流分布不均衡的问题.相比于稳态电流分布,瞬态电流分布的影响因素众多,是研究的热点.针对IGBT的芯片参数开展了模块内部各支路瞬态电流分布特性的研究.通过建立IGBT芯片模型及芯片并联的瞬态电路分析模型,计算单一芯片参数与多种芯片参数作用下IGBT模块的瞬态电流分布,提出新的适用于芯片支路瞬态均流分析的评价指标,得到了IGBT芯片参数对并联瞬态均流影响的规律.研究结果表明阈值电压、跨导和栅极电阻是对瞬态均流影响最大的3个芯片参数,且需要关注阈值电压与跨导的共同影响.研究结果对IGBT的芯片筛选及并联后的瞬态均流计算具有指导意义.