化学机械抛光中Co/Ti电偶腐蚀与去除速率选择性研究

• 作者: 周婉睛 孙鸣 孟凡浩 阳小帆 杨朝霞
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 钴 钛 缓蚀剂 电偶腐蚀 化学机械抛光
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 48-53
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2021.01.009

摘要

通过电化学测试研究了pH、配位剂(柠檬酸钾)和缓蚀剂[包括1,2,4-三氮唑(TAZ)和3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑(AMTA)]对Co/Ti电偶腐蚀的影响.结果表明,溶液pH升高会增大Co与Ti之间的腐蚀电位差.当pH=8时,加入0.5％(质量分数)柠檬酸钾会加剧Co和Ti之间的电偶腐蚀,而再加入缓蚀剂TAZ或AMTA能够抑制电偶腐蚀.由化学机械抛光(CMP)结果可知,随着TAZ或AMTA质量分数的提高,Co和Ti的去除速率都降低.抛光液中加入质量分数为0.1％的TAZ或AMTA时,Co与Ti的去除速率比分别为1.064和1.098.