InGaN/GaN多层球形核壳结构量子点中类氢杂质态的结合能

• 作者: 谢慧 邢雁
• 来源期刊: 内蒙古大学学报（自然科学版）
• 关键词: 核壳量子点 结合能 类氢杂质态
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 页码范围: 136-142
• 页数: 7页
• 分类号: O471.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13484/j.nmgdxxbzk.20210205

摘要

在有效质量近似下,采用有限差分法研究了 InGaN/GaN/InGaN/GaN球形核壳量子点中类氢杂质基态和激发态的结合能,数值计算了杂质态结合能随量子点核半径、壳层厚度和阱宽的变化关系.结果表明,核半径和阱宽对杂质态结合能的影响显著,随着核半径的增加,结合能先减小后增大,而后递减且逐渐趋于单量子点的结合能;而随着阱宽的增加,基态和激发态的结合能均单调减小,最后趋于同一定值.同时发现,壳层厚度达到一定值后,结合能不再发生变化.