低能正电子致厚靶特征X射线产额的初步实验研究

• 作者: 房冰冰 曹兴忠 杭仲斌 田丽霞
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 正电子 特征X射线产额 厚靶 PENELOPE模拟
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 核物理、交叉学科研究
• 页码范围: 77-82
• 页数: 6页
• 分类号: TL81
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.010502

摘要

通过10～30 keV的正电子轰击纯厚Ti(Z=22)靶,采用超薄灵敏层的Si-PIN探测器收集其产生的X射线,通过HPGe探测器收集正电子在靶中湮没产生的511 keV的γ光子计数来计算正电子束流强度,对正电子碰撞厚Ti靶的K壳层特征X射线产额进行了初步测量,并将所得实验数据与基于DWBA(Distorted-Wave Born Approximation)理论的Monte Carlo程序PENELOPE模拟值进行了比较,在所考察的能区范围内两者形状较为一致,但实验值均明显低于理论模拟值,在低能端(≦15 keV)更为显著,从而为今后开展这方面的工作提供了参考.