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湘潭大学自然科学学报期刊
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SRAM白光中子单粒子翻转注量率(107量级)效应研究∗
SRAM白光中子单粒子翻转注量率(107量级)效应研究∗
作者:
李光远
唐翌
胡志良
梁天骄
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
中子单粒子效应
白光中子
SRAM
注量率效应
摘要:
中子诱发中子单粒子效应进而影响电子设备或系统的稳定性和可靠性,本文基于中国散裂中子源BL06测试束线,在20 kW、50 kW、70 kW、80 kW和100 kW束流条件下,对800 nm、500 nm、350 nm和130 nm工艺静态随机存储器开展了不同注量率下白光中子单粒子翻转研究.实验发现:在误差允许范围内,中子注量率为1.34×107~6.68×107 n/(cm2·s)时,白光中子诱发的中子单粒子翻转平均位翻转截面无明显变化,即当前注量率范围内,中子单粒子翻转基本不考虑注量率效应.
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文献信息
篇名
SRAM白光中子单粒子翻转注量率(107量级)效应研究∗
来源期刊
湘潭大学学报(自然科学学报)
学科
关键词
中子单粒子效应
白光中子
SRAM
注量率效应
年,卷(期)
2021,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
31-38
页数
8页
分类号
TL99
字数
语种
中文
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中子单粒子效应
白光中子
SRAM
注量率效应
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研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
湘潭大学自然科学学报
主办单位:
湘潭大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1000-5900
CN:
43-1066/TN
开本:
出版地:
湖南省湘潭市湘潭大学期刊社
邮发代号:
创刊时间:
语种:
chi
出版文献量(篇)
2407
总下载数(次)
2
总被引数(次)
11080
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