锑化物Ⅱ类超晶格材料外延生长、结构及光学特性研究进展

• 作者: 刘胜达 房丹 方铉 赵鸿滨 李承林 王登魁 王东博 王晓华 马晓辉 魏志鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: 锑化物 超晶格 分子束外延 少子寿命
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能|Synthesis and Properties of Materials
• 页码范围: 165-186
• 页数: 22页
• 分类号: O482.31
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20200304

摘要

近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础.然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义.本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望.