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摘要:
采用室温合成法制备出CsPbBr3钙钛矿量子点,并采用乙酸乙酯对量子点进行了一次、二次和三次清洗,以控制其表面配体密度.然后,利用合成并经过清洗的钙钛矿量子点制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PTAA/CsPbBr3 QD/TPBi/LiF/Al 的电致发光二极管(QLED).研究了经不同清洗次数的量子点材料制备的器件的光电性能.结果表明,清洗2次的量子点在电荷注入与溶液稳定性之间得到平衡,利用其制备的钙钛矿QLED获得了最大亮度为1 405 cd/m2、外量子效率为0.6%、色坐标为(0.127,0.559)的绿光发射.
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文献信息
篇名 室温合成的钙钛矿量子点及其电致发光二极管
来源期刊 半导体光电 学科
关键词 钙钛矿 量子点 清洗次数 发光二极管
年,卷(期) 2021,(1) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 40-44
页数 5页 分类号 TN383.1
字数 语种 中文
DOI 10.16818/j.issn1001-5868.2021.01.007
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研究主题发展历程
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钙钛矿
量子点
清洗次数
发光二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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