InGaAsP快速外延生长及其在太阳电池中的应用

• 作者: 李戈 陆宏波 李欣益 张玮
• 来源期刊: 上海航天（中英文）
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 InGaAsP 窄带隙 高生长速率 辐射复合
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 专业纵论
• 页码范围: 136-141
• 页数: 6页
• 分类号: TN911.73|TP391.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.19328/j.cnki.1006-1630.2021.01.017

摘要

四元InGaAsP混晶是一种理想的可用于窄禁带太阳电池制备的半导体材料.本文研究了InP衬底上InGaAsP材料在不同外延生长速度下的掺杂特性和晶体质量.通过电化学电容-电压测试法,实验发现高生长速率下InGaAsP材料的Zn掺杂的掺杂浓度与Ⅲ族源流量无关,而Si掺杂的掺杂浓度随Ⅲ族源流量增加而减少.通过瞬态荧光光谱测试方法,实验发现高生长速率下InGaAsP材料非辐射复合和界面复合占比减少,载流子输运效率得到了提升.最后,带隙组合为1.16 eV/0.88 eV的高生长速率InP基双结电池完成器件工艺后进行测试,其在AM0光照条件下开路电压为1287 mV,平均电压损失为340 mV.