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摘要:
华创证券分析师耿璨认为,随着5G带来的万物互联及基站、数据中心数量的迅猛增长,及汽车电子化程度的不断提升,MOSFET及IGBT有望持续放量,带动功率半导体市场实现较快增长。国金证券也认为,2021年,功率半导体将在需求增长+涨价+国产替代的利好驱动下迎来发展良机,产业链积极受益。
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 功率半导体国产替代进程加快,两大国产IGBT厂商加速上市
来源期刊 变频器世界 学科 经济
关键词 功率半导体 数据中心 国金证券 利好 万物互联 电子化程度 证券分析师 IGBT
年,卷(期) bpqsj_2021,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 60-60
页数 1页 分类号 F42
字数 语种
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研究主题发展历程
节点文献
功率半导体
数据中心
国金证券
利好
万物互联
电子化程度
证券分析师
IGBT
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
变频器世界
月刊
1561-0330
大16开
深圳市南山区高新南区科苑南路中地数码大厦
1997
chi
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