背接触太阳电池的背面设计优化

• 作者: 席珍珍 吴翔 屈小勇 郭永刚
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 关键词: 太阳电池 单晶硅 叉指背接触(IBC) 背面设计 副栅线 主栅线
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 器件与技术|Devices and Technology
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2021.01.003

摘要

利用quokka3仿真软件建立三维模型,对n型叉指背接触(IBC)单晶硅太阳电池的单元电池结构设计和栅线参数进行了仿真优化,并通过激光和丝网印刷进行了实验验证.实验结果表明,在不同IBC单元电池结构设计下,当p+发射区与n+背表面场区的宽度比值为4时,IBC太阳电池效率比宽度比值为2.3时的高0.11％.可通过减小单元电池宽度,增大p+发射区与n+背表面场区的宽度比值来获得更高的IBC太阳电池效率.在相同单元电池结构设计下,当细栅线宽度从40 μm增加到60 μm时,IBC太阳电池效率能够提高0.18％.且相比4主栅,6主栅IBC太阳电池效率可提高0.09％.因此,增加副栅线宽度和主栅线数量有利于IBC太阳电池效率的提升.