InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长

• 作者: 王旭 王海珠 张彬 王曲惠 范杰 邹永刚 马晓辉
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAsP 应变补偿 多量子阱 晶格失配
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能|Synthesis and Properties of Materials
• 页码范围: 448-454
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20200379

摘要

利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,设计了GaAsP应变补偿层结构;通过理论模拟与实验相结合的方式,调控了GaAsP材料体系中的P组分,设计了P组分分别为0,0.128,0.184,0.257的三周期InxGa1-xAs/GaAs1-yPy多量子阱结构;通过PL、XRD、AFM测试对比发现,高势垒GaAsP材料的张应变补偿可以改善晶体质量.综合比较,在P组分为0.184时,PL波长1043.6 nm,半峰宽29.9 nm,XRD有多级卫星峰且半峰宽较小,AFM粗糙度为0.130 nm,表面形貌显示为台阶流生长模式.