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摘要:
本文利用中国散裂中子源(CSNS)反角白光中子束线开展了45nm工艺XC6SLX150、XC6SLX16两款SRAM型FPGA器件大气中子单粒子效应地面模拟试验,分析获得了器件截面数据并与之前结果进行比较.结果表明,同工艺器件中子单粒子效应截面基本一致,反角白光中子源、LANSCE散裂源及国内14MeV单能中子源单粒子试验截面基本一致,验证了反角白光中子源开展大气中子单粒子试验的可行性.
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文献信息
篇名 SRAM型FPGA散裂中子源反角白光中子单粒子试验
来源期刊 航空科学技术 学科 航空航天
关键词 散裂中子源 反角白光中子 FPGA 单粒子
年,卷(期) 2021,(2) 所属期刊栏目 工程应用
研究方向 页码范围 62-65
页数 4页 分类号 V216.5
字数 语种 中文
DOI 10.19452/j.issn1007-5453.2021.02.009
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