面向微处理器核的片上老化检测模块设计

• 作者: 刘帅 虞致国 洪广伟 顾晓峰
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 微处理器 负偏压温度不稳定性 片上老化测量 细粒度
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 89-91,94
• 页数: 4页
• 分类号: TN492
• 语种: 中文
• DOI: 10.13873/J.1000-9787(2021)02-0089-03

摘要

为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检测模块.检测模块包括老化延时探测模块及测量模块,能够准确测量NBTI效应造成的电路延时增量;相比于传统单一的延迟线结构,其面积开销降低40％.所设计的结构在ISCAS与OR1200核上实验,延时测量精度达到94％以上,可为微处理器的可靠性设计提供细粒度的防护.