背面通孔工艺对砷化镓滤波器性能的影响

• 作者: 彭挺 闫未霞 郭盼盼 强欢 莫中友 陈超 王世伟 孔欣
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 关键词: 砷化镓 滤波器 背面通孔 侧向蚀刻
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 微系统技术|MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY
• 页码范围: 70-73
• 页数: 4页
• 分类号: TN605
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2021.02.003

摘要

滤波器作为微波系统中的无源器件,在现代电子通信中具有非常重要的应用.采用砷化镓无源器件集成工艺制作了滤波器,在制作工艺中重点研究了背面通孔工艺对滤波器性能的影响.首先讲述了IPD工艺,然后通过分析背面通孔不同位置的侧向蚀刻,经过测试数据的分析对比,进而说明侧向蚀刻对滤波器性能的影响.通过以上的分析结果,为后续滤波器工艺加工的监控和维护提供了重要的数据基础.