含硒杂环萘二酰亚胺衍生物的合成及其场效应性能研究

• 作者: 罗河伟 李乐琦 马贺 王诗文
• 来源期刊: 化学通报（印刷版）
• 关键词: 有机场效应晶体管 萘二酰亚胺 核位修饰 硒杂环
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 63-68
• 页数: 6页
• 语种: 中文

摘要

萘二酰亚胺(NDI)类化合物由于其较好的平面性和较强的接受电子能力,被广泛应用于有机场效应晶体管(OFETs)和有机太阳能电池中(OSCs).然而,高迁移率的n型和双极性NDI类半导体材料较少.基于此,本文设计合成了核位硒杂环修饰的NDI衍生物,通过引入1,2-二硒苯和1,2-二硒萘基团,对其能级进行了有效的调控,获得了两个新型的窄带隙NDI衍生物.通过溶液旋涂法,制备了两种材料的底栅底接触场效应晶体管器件,二者在空气中都表现出n型半导体特性,退火温度为120℃时性能达到最优,分别为1×10-3cm2·V-1 ·s-1(4)和5× 10-3cm2·V-1 ·s-1(5).同时,通过原子力显微镜和X射线衍射对材料薄膜的退火过程进行了研究.