940nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备

• 作者: 术玲 海一娜 邹永刚 范杰 王傲
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: 面发射分布反馈(SE-DFB)半导体激光器 二阶光栅 光栅形貌 耦合因子
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理|Device Fabrication and Physics
• 页码范围: 223-230
• 页数: 8页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20200346

摘要

水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注.本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空比、刻蚀深度等)对激光器发光特性(线宽、边模抑制比、功率及斜率效率等)的影响.结合二阶光栅、脊形波导、电极及出光口、解理封装等器件工艺,制备出发光波长为940.3 nm的水平谐振腔面发射半导体激光器,线宽为0.52 nm,连续工作模式下发射功率为890 mW.