晶圆级多层堆叠技术

• 作者: 郑凯 周亦康 宋昌明 蔡坚 高颖 张昕
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 晶圆级多层堆叠 2.5D和3D封装 硅通孔(TSV) 晶圆键合与解键合 可靠性管理
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望|Trends and Outlook
• 页码范围: 178-187
• 页数: 10页
• 分类号: TN405.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.03.002

摘要

随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求.晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集成技术成为实现系统性能、带宽和功耗等方面指标提升的重要备选方案之一.对目前已有的晶圆级多层堆叠技术及其封装过程进行了详细介绍;并对封装过程中的两项关键工艺,硅通孔工艺和晶圆键合与解键合工艺进行了分析;结合实际封装工艺对晶圆级多层堆叠过程中的可靠性管理进行了论述.在集成电路由二维展开至三维的发展过程中,晶圆级多层堆叠技术将起到至关重要的作用.