简化冲击电容器元件圆弧区缺陷场强三维有限元仿真

• 作者: 张晨萌 蓝天 蓝磊 文习山 陈家峰
• 来源期刊: 武汉大学学报（工学版）
• 关键词: 冲击电容器 圆弧区域 有限元法 静电场仿真
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 电气工程
• 页码范围: 421-428
• 页数: 8页
• 分类号: TM215.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.14188/j.1671-8844.2021-05-007

摘要

冲击电容器元件两侧圆弧部分的缺陷电场分布因占比小而受到忽视,为研究缺陷对此部分的电场强度影响,建立由最内部5份介质层与5层极板相互层叠构成的简化冲击电容器元件三维模型,忽略留边及铝箔卷边的影响,采用有限元仿真研究圆弧部分上缺陷位置、成分、有无空间电荷及电压类型等多种因素对圆弧部分电场分布的综合影响.研究发现,在高压侧电极与绝缘介质的交界面,电场强度随着缺陷曲率的减小而减小,但电极低压侧与绝缘介质交界面处空间电荷增大场强的程度超过曲率降低场强的程度.无论是浸渍剂缺陷或者空气缺陷,相同曲率及相同空间电荷密度下,不同缺陷位置的浸渍剂缺陷内最大场强随空间电荷量的增加而增大.影响程度在三维模型下更易准确观察和分析.