基于GaAs PHEMT工艺的60～90 GHz功率放大器MMIC

• 作者: 孟范忠 薛昊东 方园
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 功率放大器(PA) 平衡式放大器 单片微波集成电路(MMIC) E波段
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路|Semiconductor Integrated Circuits
• 页码范围: 193-197
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.03.004

摘要

研制了一款60～90 GHz 功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC 采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR).采用GaAs 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60～90 GHz 时,功率放大器MMIC 的小信号增益大于13 dB,在71～76 GHz 和81～86 GHz 典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB.载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60～90 GHz 时,该功率放大器MMIC 饱和输出功率大于17.5 dBm,在71～76 GHz 和81～86 GHz 典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm.该功率放大器MMIC 尺寸为5.25 mm×2.10 mm.