不同浓度的Mg掺杂β-Ga2O3薄膜的制备与研究

• 作者: 杨子淑 段苹 邓金祥 张晓霞 张杰 杨倩倩
• 来源期刊: 真空
• 关键词: 射频磁控溅射 Mg掺杂β-Ga2O3薄膜 带隙宽度 p型掺杂
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜|Thin Film
• 页码范围: 30-34
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2021.03.06

摘要

本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯 β-Ga2O3薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂β-Ga2O3薄膜,研究了薄膜的结构、光学和电学性质.X射线衍射测试结果表明,在我们的掺杂浓度内,Mg掺杂β-Ga2O3薄膜没有出现其他晶相的衍射峰,随着Mg掺杂浓度变大,薄膜的(401)和(601)衍射峰强度变弱.使用X射线光电子能谱测试薄膜中各元素的结合能和化学态.紫外-可见透射光谱测试结果表明薄膜在测试波段平均透光率高达80％以上,薄膜的带隙宽度随着Mg掺杂浓度变大而变大.霍尔效应测试结果表明我们采用射频磁控溅射方法制备的Mg掺杂β-Ga2O3薄膜的导电类型为p型,载流子浓度由3.76×1010cm-3增加到1.89×1013cm-3,说明Mg掺杂 β-Ga2O3薄膜是一种很有潜力的p型半导体材料.