气相合成法制备6N硫化镉多晶

• 作者: 张程
• 来源期刊: 东方电气评论
• 关键词: 硫化镉 合成装置 气相合成法
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 其他|MISCELLANEOUS
• 页码范围: 86-88
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9006.2021.02.021

摘要

超高纯度的硫化镉(CdS)是Ⅱ-Ⅵ族中具有广泛应用的半导体材料,本文以6N硫、6N镉为原料,讲述了一种气相合成6N硫化镉多晶材料的工艺方法,分析了不同合成装置对合成效果的影响,探讨了气相合成硫化镉的工艺过程,包括硫蒸发室、镉蒸发室温度曲线的控制,硫蒸发室和镉蒸发室运载气体流量控制,以达到硫化镉最佳合成工艺条件.