β-Ga2 O 3单晶制备工艺的研究进展

• 作者: 陈博利 杨依帆 冷国琴 黄朝晖 孙峙 陶天一
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: β-Ga2O3 宽禁带半导体 单晶生长 制备工艺
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 综述·进展
• 页码范围: 70-77
• 页数: 8页
• 分类号: O782
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2021.01.011

摘要

β型氧化镓(β-Ga2O3)具有宽禁带、高击穿强度和低制造成本等优点,是制备第三代半导体的优质备选材料.制备β-Ga2 O 3材料的方法有直拉法、导模法、浮区法、布里奇曼法等.由于该材料在高温下易挥发,易产生较多杂质气体、晶体形状难以控制、单晶中产生较多缺陷等问题.对目前β-Ga2 O 3制备方法进行综述,对多种制备方法的工艺、原理以及相关应用进行介绍,并对这些方法及工艺的特点进行对比,分析产品低质量的主要原因并提出解决建议,为未来优化β-Ga2 O 3材料制备工艺的研究提供参考.