基于TMD材料的CMOS反相器电路研究现状

• 作者: 张璐 张亚东 殷华湘
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 关键词: 过渡金属硫族化合物(TMD) MoS2 WSe2 场效应晶体管 互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 技术论坛|Technology Forum
• 页码范围: 185-195
• 页数: 11页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2021.03.001

摘要

对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS2、WSe2等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述.总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶体管器件的研究进展.对基于TMD的集成电路技术研究进行了介绍与分析.分别在结构设计、集成工艺、性能优化及电路集成等方面对基于TMD材料的CMOS反相器电路进行了总结与分析.介绍了两种集成结构及对应的工艺流程,详细分析了CMOS反相器电路性能优化的方法.最后指出了目前的关键挑战及未来的发展趋势.