深紫外LED封装技术现状与展望

• 作者: 彭洋 陈明祥 罗小兵
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: 深紫外LED 封装技术 光效 可靠性
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 发光产业及技术前沿|Luminescence Industry and Technology Frontier
• 页码范围: 542-559
• 页数: 18页
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20200394

摘要

深紫外发光二极管(Deep-ultraviolet light-emitting diode,DUV-LED)具有环保无汞、寿命长、功耗低、响应快、结构轻巧等诸多优势,在杀菌消毒、生化检测、医疗健康、隐秘通讯等领域具有重要应用价值.近年来,深紫外LED技术取得了快速发展,主要体现在光效和可靠性的不断提高,这一方面得益于芯片制造过程中氮化物材料外延和掺杂技术的进步,另一方面归功于深紫外LED封装技术的发展.但是,与波长较长的近紫外和蓝光LED相比,深紫外LED的光效和可靠性仍有很大提升空间.本综述重点对深紫外LED封装关键技术进行了系统分析,包括封装材料选择、封装结构设计、封装工艺优化、反射光损耗机制以及结温和热管理等,同时从提高光效与器件可靠性角度阐述了深紫外LED封装的最新研究进展,并对后续技术发展进行了展望.