InGaAs/InP台面型pin高速光电探测器

• 作者: 韩孟序 齐利芳 尹顺政
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 关键词: 光电探测器 InGaAs/InP 光通信 响应度 带宽 小信号模型
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 器件与技术|Devices and Technology
• 页码范围: 196-200
• 页数: 5页
• 分类号: TL814
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2021.03.002

摘要

介绍了一种应用于5G通信系统的高速光电探测器,设计了InP基台面型pin高速光电探测器材料结构,通过理论计算及软件模拟得到响应度和带宽随耗尽层厚度的变化规律,并对材料结构进行优化.制备了光敏面直径为20 μm及耗尽层厚度分别为1.0、1.3和1.5μm的器件.对比响应度和带宽的理论值与实测值,结果表明实测值与理论值相符,当耗尽层厚度为1.3 μm时响应度可达到0.89 A/W,带宽可达23 GHz以上,可满足25 Gibit/s的传输速率要求.建立了探测器小信号模型对器件的带宽特性进行仿真,仿真结果与理论值一致,进一步验证理论分析的正确性.