从专利视角浅析基于碳化硅材料的航空航天传感器技术发展

• 作者: 梁雪峰
• 来源期刊: 新材料产业
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 关注
• 页码范围: 18-23
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.19599/j.issn.1008-892x.2021.03.005

摘要

我国"十三五"规划中明确指出,把发展传感器技术、推动相关产业进步列为国家战略发展的重点对象;2017年,工业和信息化部发布的《智能传感器产业三年行动指南(2017-2019年)》中也提出,要加快研发基于微电机(MEMS)工艺的新型智能传感器设计技术.目前多种不同类型的传感器大量应用于国内外航天飞行器的各个系统中[1].传统的硅(Si)材料温度传感器受制于其特性限制,在高温高压、强辐射环境下其服役表现较差,极易同外部介质发生反应被腐蚀、氧化等,在高温时则易发生机械性能退化,无法满足在航空航天等恶劣环境下的需求.砷化镓(GaAs)是继Si材料以来的第2代半导体材料,G a A s材料在600℃以上性质不稳定,温度达到800℃时发生离解[2,3].碳化硅(SiC)与GaAs同属于化合物半导体,因其具有宽带隙、高导热率等优良特性,是继Si和GaAs后发展的第3代半导体材料,可应用到微电子器件和电路设计等高新技术产业,满足现阶段对高温抗辐射、高频大功率等性能要求,因此其可用于制作适应于航空航天等高温领域的温度传感器、压力传感器等[4-6].