基于PFM控制的高效GaN全桥LLC谐振变换器设计

• 作者: 贺琛 高圣伟
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 全桥LLC谐振变换器 PFM控制 参数设计 频率划分 方案验证 波形对比
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: TN624-34|TM46
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2021.02.007

摘要

GaN MOSFET作为宽禁带的第三代半导体不仅开关速度快而且导通电阻小,把其用于变换器具有一定的高效性,而LLC谐振变换器作为高效的DC-DC变换器一直被广泛关注.现将GaN MOSFET用作全桥LLC谐振变换器的原边开关管进一步提升变换器的效率,并且通过PFM(变频)控制将变换器的工作频率划分为3个区域,进而找到效率最高的频率点,使变换器以此频率高效运行,文中对全桥LLC谐振变换器进行了参数设计,并基于Plecs和Matlab软件联合仿真验证参数和方案的可行性,搭建硬件平台得到谐振电流、输出电压的实验波形与仿真波形进行对比.实验结果表明,将GaN器件引入全桥LLC谐振变换器后能提高系统的频率及功率密度且最高效率可达96％.