基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展

• 作者: 涂睿 刘宏宇 孙润光 厉凯 艾世乐 汤昊
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 单片集成 GaN FET 发光二极管(LED) 微型LED 微显示
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望|Trends and Outlook
• 页码范围: 426-433
• 页数: 8页
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.06.002

摘要

发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注.与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势.总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件结构及性能,这些器件结构包括:直接利用LED外延结构制作FET驱动微型LED发光像素的横向集成结构、HEMT驱动微型LED发光像素的横向叠层结构、纳米线GaN FET驱动LED发光像素的垂直叠层结构.对基于GaN FET驱动的LED微显示技术的进展进行了综述.对GaN FET驱动的LED微显示技术的应用前景和研究方向进行了展望.