两种功率因数校正电路对比研究

• 作者: 付晓军
• 来源期刊: 电子测量技术
• 关键词: MCU校正电路 IPM校正电路 幅频特性 电源电压畸变率 功率因数校正参数
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与设计|Research and Design
• 页码范围: 15-20
• 页数: 6页
• 分类号: TM714
• 语种: 中文
• DOI: 10.19651/j.cnki.emt.2105706

摘要

针对电网运行中设备所作无用功较大的问题,为改善这种情况,增加系统有功输出,在电网中设计了微控制(MCU)校正电路和智能功率模块(IPM)校正电路对比方案.结果为MCU采用的是微控制单元和PWM联合控制技术;IPM采用大功率晶体管进行电路核准校正.对两种电路进行幅频特性和电源畸变校正效果进行对比;之后对两种电路的参数变化进行对比.分析出两种校正电路的优缺点和各自适用范围.结果表明,通过Proteus仿真,发现MCU校正电路和IPM校正电路测试功率临界点为3.5 kW;应用MATLAB对两种校正方法稳定性进行分析,发现MCU临界稳定校正功率为3.0 kW,IPM临界稳定校正功率为2.8 kW.经过对比研究分析两种校正方法的优缺点,明确了两种校正电路的适用条件.