FeNHf磁性薄膜微结构中太赫兹波损耗的抑制

• 作者: 赵磊 谈阳 章强 邢园园 赵云 张晓渝
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 关键词: FeNHf 磁性薄膜 太赫兹波传输特性 高品质因子 太赫兹波损耗 磁导率 微纳工艺
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与结构|Materials and Structures
• 页码范围: 201-206
• 页数: 6页
• 分类号: O482.54|TM27
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2021.03.003

摘要

基于半导体微纳工艺设计并制备了一种FeNHf磁性薄膜的镜像四环非对称太赫兹微结构,测试了薄膜磁性能和微结构太赫兹波传输特性.结果 表明FeNHf薄膜在0.5 GHz时在难轴方向的磁导率为410,共振频率为1.48 GHz,磁各向异性场强度为31.88 Oe(1 A·m-1 =4π×10-3 Oe).通过比较基于FeNHf薄膜的微结构与相同尺寸的非磁Au薄膜的微结构的太赫兹波传输特性,发现FeNHf薄膜四环微结构的共振频率比Au薄膜四环微结构的共振频率低,这主要是由于FeNHf薄膜具有较高的等效电感值.实验和模拟结果表明,FeNHf薄膜的电导率比Au薄膜低一个量级,在太赫兹共振频率下FeNHf薄膜微结构比Au薄膜微结构具有更高的电场强度和磁场强度,其太赫兹波涡流损耗约为Au薄膜微结构的25％,因此,FeNHf磁性薄膜的镜像四环非对称太赫兹微结构具有较大的透射率和Q值,能够更好地抑制大赫兹波的损耗.