溅射时间对磁控溅射V2O5离子储存薄膜结构与性能的影响

• 作者: 付亚东 刘鉴宁 刘红英 张远洋 张得全 梁小平
• 来源期刊: 玻璃
• 关键词: 磁控溅射 离子储存薄膜 V2O5 溅射时间 透过率
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与综述
• 页码范围: 21-24,29
• 页数: 5页
• 分类号: O646
• 语种: 中文

摘要

在ITO玻璃基体上采用磁控溅射法制备用于电致变色玻璃的V2O5离子储存薄膜,重点研究了溅射时间(2～5 h)对V2O5薄膜结构与性能的影响.研究结果表明:随着溅射时间延长,V2O5薄膜的厚度随着溅射时间延长而增厚,透过率随着厚度增加而呈现降低趋势;溅射4～5 h下制备的V2O5薄膜离子储量高于20 mC/cm2.综合考虑离子储存量和可见光透过率,磁控溅射法制备离子储存V2O5薄膜的溅射时间控制为4 h为宜.